MOSFET, Canal N-Canal Infineon AIMBG75R033M2HXTMA1, VDSS 750 V, ID 64 A, PG-TO263-7 de 7 pines
- Código RS:
- 762-868
- Nº ref. fabric.:
- AIMBG75R033M2HXTMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- 762-868
- Nº ref. fabric.:
- AIMBG75R033M2HXTMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Canal N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 64A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 750V | |
| Encapsulado | PG-TO263-7 | |
| Serie | AIMBG75R | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 7 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 31mΩ | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 169nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 234W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 23V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Anchura | 9.8mm | |
| Longitud | 10.2mm | |
| Altura | 15mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 64A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 750V | ||
Encapsulado PG-TO263-7 | ||
Serie AIMBG75R | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 7 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 31mΩ | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 169nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 234W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 23V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Anchura 9.8mm | ||
Longitud 10.2mm | ||
Altura 15mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
- COO (País de Origen):
- MY
El MOSFET de Infineon está diseñado para ofrecer un rendimiento excepcional en aplicaciones de alta tensión, como cargadores integrados y convertidores dc-dc, lo que garantiza fiabilidad y eficiencia en entornos exigentes.
Dispone de tecnología de 750 V muy robusta con excelentes pruebas de avalancha
Proporciona una disipación térmica superior y pérdidas de conmutación reducidas
Ofrece mayor eficiencia en topologías de conmutación dura y suave
Incorpora tecnología de fijación de matriz patentada para mejorar la fiabilidad
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