MOSFET, Canal N-Canal Infineon AIMBG75R050M2HXTMA1, VDSS 750 V, ID 64 A, PG-TO263-7 de 7 pines

La imagen representada puede no ser la del producto

Descuento aplicable por cantidad
Ver precios por cantidad

Subtotal (1 unidad)*

8,04 €

(exc. IVA)

9,73 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Agotado temporalmente
  • Envío desde el 30 de julio de 2027
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"

Unidad(es)
Por unidad
1 - 98,04 €
10 - 995,50 €
100 - 4994,64 €
500 - 9994,21 €
1000 +3,85 €

*precio indicativo

Código RS:
762-870
Nº ref. fabric.:
AIMBG75R050M2HXTMA1
Fabricante:
Infineon
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Canal N

Corriente continua máxima de drenaje ld

64A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

750V

Serie

AIMBG75R

Encapsulado

PG-TO263-7

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

7

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

31mΩ

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

169nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

23V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

234W

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

AEC-Q101

COO (País de Origen):
MY
El MOSFET SiC de alto rendimiento de Infineon está diseñado para mejorar la eficiencia en aplicaciones de automoción al facilitar una conversión y gestión de potencia eficaces.

Dispone de tecnología de 750 V muy robusta con prueba de avalancha al 100 %

Proporciona una eficiencia superior en conmutación dura y altas frecuencias de conmutación

Ofrece la mejor disipación térmica de su clase para un funcionamiento fiable

Incluye diodo ESD integrado para mayor robustez

Enlaces relacionados

Mantente al día de nuestras novedades y ofertas

Introduce tu dirección de correo

La información personal que nos proporciones al suscribirte se procesará de acuerdo con nuestra política de privacidad.