MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IMW65R033M2HXKSA1, VDSS 650 V, ID 53 A, PG-TO-247, Mejora de 3 pines
- Código RS:
- 351-865
- Nº ref. fabric.:
- IMW65R033M2HXKSA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 351-865
- Nº ref. fabric.:
- IMW65R033M2HXKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 53A | |
| Potencia de salida | 194W | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Encapsulado | PG-TO-247 | |
| Serie | IMW65 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Altura | 5.3mm | |
| Certificaciones y estándares | JEDEC for Industrial Applications | |
| Longitud | 16.3mm | |
| Anchura | 21.5 mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 53A | ||
Potencia de salida 194W | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Encapsulado PG-TO-247 | ||
Serie IMW65 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Altura 5.3mm | ||
Certificaciones y estándares JEDEC for Industrial Applications | ||
Longitud 16.3mm | ||
Anchura 21.5 mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
Este MOSFET CoolSiC 650 V, 33 mΩ G2, en encapsulado TO-247-3 de Infineon aprovecha las ventajas de la tecnología de primera generación y permite un diseño acelerado de sistemas con soluciones más rentables, eficientes, compactas y fiables. La segunda generación incorpora mejoras significativas en las figuras de mérito clave, tanto para el funcionamiento de conmutación dura como para las topologías de conmutación suave, adecuadas para todas las combinaciones habituales de etapas AC-DC, DC-DC y DC-AC.
Excelentes figuras de mérito (FOM)
La mejor RDS(on) de su clase
Gran robustez y calidad general
Rango de tensión de accionamiento flexible
Admite accionamiento unipolar (VGSoff=0)
La mejor inmunidad contra los efectos de activación
Mejora de la interconexión de paquetes con .XT
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