MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IMW65R010M2HXKSA1, VDSS 650 V, ID 130 A, PG-TO-247, Mejora de 3 pines

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Código RS:
351-950
Nº ref. fabric.:
IMW65R010M2HXKSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

130A

Potencia de salida

312W

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Serie

IMW65

Encapsulado

PG-TO-247

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Altura

5.3mm

Certificaciones y estándares

JEDEC

Longitud

16.3mm

Anchura

21.5 mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN
Este MOSFET CoolSiC de segunda generación en un encapsulado TO-247-3 de Infineon aprovecha las ventajas de la tecnología de primera generación y permite un diseño acelerado de sistemas con soluciones más rentables, eficientes, compactas y fiables. La segunda generación incorpora mejoras significativas en las figuras de mérito clave, tanto para el funcionamiento de conmutación dura como para las topologías de conmutación suave, adecuadas para todas las combinaciones habituales de etapas AC-DC, DC-DC y DC-AC.

Permite ahorros en la lista de materiales (BOM)

Máxima fiabilidad

Máxima eficiencia y densidad energética

Facilidad de uso

Compatibilidad completa con los proveedores existentes

Permite diseños sin ventilador ni disipador

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