MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STK615N4F8AG, VDSS 40 V, ID 672 A, PowerLeaded, Mejora de 4 pines, config. Canal

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Código RS:
358-981
Nº ref. fabric.:
STK615N4F8AG
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Frecuencia de Funcionamiento

1 MHz

Corriente continua máxima de drenaje ld

672A

Potencia de salida

390W

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Encapsulado

PowerLeaded

Serie

STK615

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

4

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Configuración de transistor

Canal N

Certificaciones y estándares

AEC-Q101

Anchura

8.15 mm

Longitud

8.15mm

Altura

1.85mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

COO (País de Origen):
CN
Este MOSFET de potencia con canal N en modo de mejora de STMicroelectronics está diseñado con tecnología STripFET F8 y cuenta con una estructura de puerta de trinchera mejorada. Garantiza una figura de mérito de vanguardia para una resistencia en estado activo muy baja, al tiempo que reduce las capacitancias internas y la carga de puerta para una conmutación más rápida y eficiente.

Cualificado AEC Q101

Grado MSL1

175 ºC de temperatura de unión máxima de funcionamiento

100 % a prueba de avalanchas

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