MOSFET, Tipo N-Canal Nexperia PHT6NQ10T,135, VDSS 100 V, ID 3 A, Mejora, SC-73 de 4 pines

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Código RS:
509-576
Nº ref. fabric.:
PHT6NQ10T,135
Fabricante:
Nexperia
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Marca

Nexperia

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

3A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Serie

PHT6NQ10T

Encapsulado

SC-73

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

90mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

1.8W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-65°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

21nC

Tensión directa Vf

1.1V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

1.7mm

Longitud

6.7mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

MOSFET de canal N, 100 V y superior, Nexperia


Transistores MOSFET, NXP Semiconductors


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