MOSFET Nexperia PHT6NQ10T,135, VDSS 100 V, ID 3 A, SOT-223 de 3 pines, config. Simple

Código RS:: 509-576
Nº ref. fabric.:: PHT6NQ10T,135
Fabricante:: Nexperia

MOSFET Nexperia PHT6NQ10T,135, VDSS 100 V, ID 3 A, SOT-223 de 3 pines, config. Simple

195 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).

Precio unitario (Suministrado en múltiplos de 5)

0,354 €

(exc. IVA)

0,428 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Pack*
5 +	0,354 €	1,77 €

*precio indicativo

Código RS:: 509-576
Nº ref. fabric.:: PHT6NQ10T,135
Fabricante:: Nexperia

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

MOSFET de canal N, 100 V y superior, Nexperia

Transistores MOSFET, NXP Semiconductors

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	3 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	100 V
Tipo de Encapsulado	SOT-223
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	90 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	4V
Tensión de umbral de puerta mínima	2V
Disipación de Potencia Máxima	1800 mW
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip	1
Carga Típica de Puerta @ Vgs	21 nC a 10 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Longitud	6.7mm
Material del transistor	Si
Ancho	3.7mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-65 °C
Altura	1.7mm