MOSFET Nexperia PHT6NQ10T,135, VDSS 100 V, ID 3 A, SOT-223 de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 124-2386
Nº ref. fabric.:: PHT6NQ10T,135
Fabricante:: Nexperia

MOSFET Nexperia PHT6NQ10T,135, VDSS 100 V, ID 3 A, SOT-223 de 3 pines, , config. Simple

4485 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).

Precio unitario (Suministrado en Carretes de 4000)

0,414 €

(exc. IVA)

0,501 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Carrete*
4000 +	0,414 €	1.656,00 €

*precio indicativo

Código RS:: 124-2386
Nº ref. fabric.:: PHT6NQ10T,135
Fabricante:: Nexperia

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

COO (País de Origen):: CN

Datos del Producto

MOSFET de canal N, 100 V y superior, Nexperia

Transistores MOSFET, NXP Semiconductors

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	3 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	100 V
Tipo de Encapsulado	SOT-223
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	90 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	4V
Tensión de umbral de puerta mínima	2V
Disipación de Potencia Máxima	1,8 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip	1
Ancho	3.7mm
Longitud	6.7mm
Material del transistor	Si
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Carga Típica de Puerta @ Vgs	21 nC a 10 V
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-65 °C
Altura	1.7mm