MOSFET sencillos, FET DMOS vertical de canal N-Canal Microchip VN0550N3-G, VDSS 90 V, ID 350 mA, Modo de mejora, TO-92-3
- Código RS:
- 598-539
- Nº ref. fabric.:
- VN0550N3-G
- Fabricante:
- Microchip
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- Código RS:
- 598-539
- Nº ref. fabric.:
- VN0550N3-G
- Fabricante:
- Microchip
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Microchip | |
| Tipo de canal | FET DMOS vertical de canal N | |
| Tipo de producto | MOSFET sencillos | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 350mA | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 90V | |
| Serie | VN0550 | |
| Encapsulado | TO-92-3 (TO-226AA) | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 3Ω | |
| Modo de canal | Modo de mejora | |
| Tensión directa Vf | 1.8V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 1W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 5.08mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS Compliant | |
| Altura | 5.33mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Microchip | ||
Tipo de canal FET DMOS vertical de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET sencillos | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 350mA | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 90V | ||
Serie VN0550 | ||
Encapsulado TO-92-3 (TO-226AA) | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 3Ω | ||
Modo de canal Modo de mejora | ||
Tensión directa Vf 1.8V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 1W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 5.08mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS Compliant | ||
Altura 5.33mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El transistor vertical de modo de mejora de canal N de Microchip utiliza una estructura de semiconductor de óxido metálico (DMOS) de doble difusión vertical junto con un proceso de fabricación de puerta de silicio bien probado. Esta combinación garantiza que el dispositivo esté libre de fallos secundarios y funcione con un requisito de unidad de baja potencia, lo que lo convierte en eficiente y fiable para diversas aplicaciones.
Facilidad de paralelismo
Necesidad de accionamiento de baja potencia
Alta impedancia de entrada y alta ganancia
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