MOSFET sencillos, FET DMOS vertical de canal N-Canal Microchip VN0550N3-G, VDSS 90 V, ID 350 mA, Modo de mejora, TO-92-3

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Código RS:
598-539
Nº ref. fabric.:
VN0550N3-G
Fabricante:
Microchip
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Marca

Microchip

Tipo de canal

FET DMOS vertical de canal N

Tipo de producto

MOSFET sencillos

Corriente continua máxima de drenaje ld

350mA

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

90V

Encapsulado

TO-92-3 (TO-226AA)

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

3Ω

Modo de canal

Modo de mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

1W

Tensión directa Vf

1.8V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Anchura

4.19 mm

Altura

5.33mm

Certificaciones y estándares

RoHS Compliant

Longitud

5.08mm

Estándar de automoción

No

El transistor vertical de modo de mejora de canal N de Microchip utiliza una estructura de semiconductor de óxido metálico (DMOS) de doble difusión vertical junto con un proceso de fabricación de puerta de silicio bien probado. Esta combinación garantiza que el dispositivo esté libre de fallos secundarios y funcione con un requisito de unidad de baja potencia, lo que lo convierte en eficiente y fiable para diversas aplicaciones.

Facilidad de paralelismo

Necesidad de accionamiento de baja potencia

Alta impedancia de entrada y alta ganancia

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