MOSFET sencillos, FET DMOS de canal N-Canal Microchip DN2530N8-G, VDSS 500 V, ID 350 mA, Modo de agotamiento, TO-252
- Código RS:
- 598-778
- Nº ref. fabric.:
- DN2530N8-G
- Fabricante:
- Microchip
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Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Microchip | |
| Tipo de canal | FET DMOS de canal N | |
| Tipo de producto | MOSFET sencillos | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 350mA | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 500V | |
| Encapsulado | TO-252 (D-PAK-3) | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 10Ω | |
| Modo de canal | Modo de agotamiento | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.8V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 2.5W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 3 mm | |
| Longitud | 4.4mm | |
| Altura | 2.29mm | |
| Certificaciones y estándares | ISO/TS‑16949, RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Microchip | ||
Tipo de canal FET DMOS de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET sencillos | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 350mA | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 500V | ||
Encapsulado TO-252 (D-PAK-3) | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 10Ω | ||
Modo de canal Modo de agotamiento | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.8V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 2.5W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 3 mm | ||
Longitud 4.4mm | ||
Altura 2.29mm | ||
Certificaciones y estándares ISO/TS‑16949, RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
El transistor de modo de agotamiento de umbral bajo de Microchip utiliza una estructura DMOS vertical avanzada y un proceso de fabricación de puerta de silicio bien probado. Esta combinación produce un dispositivo con la capacidad de gestión de potencia de los transistores bipolares y la alta impedancia de entrada y el coeficiente de temperatura positivo inherentes a los dispositivos MOS. Característico de todas las estructuras MOS, este dispositivo está libre de desbocamiento térmico y avería secundaria inducida térmicamente.
Alta impedancia de entrada
Baja capacitancia de entrada
Velocidad de conmutación rápida
Resistencia de conexión baja
Libre de averías secundarias
Baja fuga de entrada y salida
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