MOSFET sencillos, FET DMOS de canal N-Canal Microchip LND150N3-G-P003, VDSS 9 V, ID 350 mA, Modo de agotamiento,

Ver todo MOSFET

Subtotal (1 bobina de 2000 unidades)*

1.238,00 €

(exc. IVA)

1.498,00 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Información relativa a las existencias no accesible actualmente - Vuelva a comprobarlo más tarde
Unidad(es)
Por unidad
Por Bobina*
2000 +0,619 €1.238,00 €

*precio indicativo

Código RS:
599-150
Nº ref. fabric.:
LND150N3-G-P003
Fabricante:
Microchip
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Microchip

Tipo de producto

MOSFET sencillos

Tipo de canal

FET DMOS de canal N

Corriente continua máxima de drenaje ld

350mA

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

9V

Serie

LND150

Encapsulado

SOT-23-5

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

5

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.4Ω

Modo de canal

Modo de agotamiento

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-25°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

12 V

Disipación de potencia máxima Pd

360mW

Tensión directa Vf

1.8V

Temperatura de funcionamiento máxima

125°C

Longitud

3.05mm

Certificaciones y estándares

ISO/TS‑16949, RoHS

Altura

1.3mm

Anchura

1.75 mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
PH
El transistor de modo de agotamiento de canal N de alta tensión (normalmente encendido) de Microchip utiliza la tecnología DMOS lateral. La puerta está protegida contra ESD. El LND150 es ideal para aplicaciones de alta tensión en las áreas de interruptores normalmente encendidos, fuentes de corriente constante de precisión, generación de rampa de tensión y amplificación.

Libre de averías secundarias

Necesidad de accionamiento de baja potencia

Facilidad de paralelismo

Excelente estabilidad térmica

Diodo de drenaje de fuente integrado

Alta impedancia de entrada y bajo CISS

Protección de puerta ESD

Enlaces relacionados