MOSFET sencillos, Tipo P-Canal Vishay, VDSS -40 V, ID -4.1 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- Código RS:
- 653-160
- Nº ref. fabric.:
- SQ2389CES-T1_GE3
- Fabricante:
- Vishay
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal (1 tira de 1 unidad)*
0,36 €
(exc. IVA)
0,44 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Disponible
- Disponible(s) 2804 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Tira(s) | Por Tira |
|---|---|
| 1 - 24 | 0,36 € |
| 25 - 99 | 0,32 € |
| 100 - 499 | 0,29 € |
| 500 - 999 | 0,25 € |
| 1000 + | 0,23 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 653-160
- Nº ref. fabric.:
- SQ2389CES-T1_GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET sencillos | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | -4.1A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | -40V | |
| Serie | SQ2389CES | |
| Encapsulado | SOT-23 | |
| Tipo de montaje | Montaje en PCB | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.094Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 12nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 3W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | ±20 V | |
| Tensión directa Vf | -1.2V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | AEC-Q101 | |
| Anchura | 2.64 mm | |
| Longitud | 3.04mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET sencillos | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld -4.1A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds -40V | ||
Serie SQ2389CES | ||
Encapsulado SOT-23 | ||
Tipo de montaje Montaje en PCB | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.094Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 12nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 3W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta ±20 V | ||
Tensión directa Vf -1.2V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares AEC-Q101 | ||
Anchura 2.64 mm | ||
Longitud 3.04mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El MOSFET de canal P de grado de automoción Vishay está diseñado para aplicaciones de conmutación compactas y de baja tensión. Admite tensión de fuente de drenaje de hasta 40 V y funciona de manera fiable a temperaturas de unión de hasta 175 °C. Envasado en un formato SOT-23 de ahorro de espacio, utiliza la tecnología TrenchFET para un rendimiento eficiente en entornos con restricciones térmicas.
Con cualificación AEC Q101
Sin Pb
Sin halógenos
Cumplimiento de RoHS
Enlaces relacionados
- MOSFET sencillos VDSS -40 V Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET VDSS 40 V Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET VDSS 40 V Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET sencillos VDSS 60 V Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET sencillos VDSS -20 V Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET sencillos VDSS -40 V Mejora, SOT-23 de 6 pines
- MOSFET sencillos VDSS 60 V Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET sencillos VDSS 60 V Mejora, SOT-23 de 3 pines