MOSFET sencillos, Tipo P-Canal Vishay, VDSS -40 V, ID -4.1 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- Código RS:
- 653-160
- Nº ref. fabric.:
- SQ2389CES-T1_GE3
- Fabricante:
- Vishay
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- Código RS:
- 653-160
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- SQ2389CES-T1_GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Tipo de producto | MOSFET sencillos | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | -4.1A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | -40V | |
| Encapsulado | SOT-23 | |
| Serie | SQ2389CES | |
| Tipo de montaje | Montaje en PCB | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.094Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 12nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 3W | |
| Tensión directa Vf | -1.2V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Anchura | 2.64mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Longitud | 3.04mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de canal Tipo P | ||
Tipo de producto MOSFET sencillos | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld -4.1A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds -40V | ||
Encapsulado SOT-23 | ||
Serie SQ2389CES | ||
Tipo de montaje Montaje en PCB | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.094Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 12nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 3W | ||
Tensión directa Vf -1.2V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Anchura 2.64mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Longitud 3.04mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
MOSFET simples serie SQ2389CES de Vishay, tensión de fuente de drenaje máxima de -40 V, corriente de drenaje continua máxima de -4,1 A - SQ2389CES-T1_GE3
Este dispositivo MOSFET simple es un transistor de modo de mejora de canal P diseñado para usar en placas de circuito impreso en entornos de control industrial y de automoción. Proporciona funcionamiento a alta temperatura y baja tensión directa para funciones de conmutación y protección en sistemas que requieren encapsulado Compact SOT‐23 y robustez de grado automovilístico.
Características y ventajas:
• La clasificación de -40 V permite manejar tensiones de carril negativas moderadas para la conmutación
• La RDS(on) de 0,094 Ω minimiza las pérdidas de conducción durante el funcionamiento de carga
• La corriente de drenaje continua de 4, 1 admite cargas de potencia moderadas en PCB
• La carga de puerta típica de 12 nC reduce la energía de accionamiento para una conmutación más rápida
• La disipación de potencia de 3 W permite un funcionamiento sostenido a niveles de potencia elevados
• El rango de -55 °C a 175 °C se adapta a entornos térmicos ampliados
• La RDS(on) de 0,094 Ω minimiza las pérdidas de conducción durante el funcionamiento de carga
• La corriente de drenaje continua de 4, 1 admite cargas de potencia moderadas en PCB
• La carga de puerta típica de 12 nC reduce la energía de accionamiento para una conmutación más rápida
• La disipación de potencia de 3 W permite un funcionamiento sostenido a niveles de potencia elevados
• El rango de -55 °C a 175 °C se adapta a entornos térmicos ampliados
Aplicaciones
• Apto para conmutación de lado alto en módulos electrónicos de automoción
• Ideal para la protección de carga en sistemas de gestión de baterías
• Se utiliza para protección contra polaridad inversa en electrónica de vehículos
• Puede utilizarse para conmutación de potencia en controladores de automatización industrial
• Ideal para la protección de carga en sistemas de gestión de baterías
• Se utiliza para protección contra polaridad inversa en electrónica de vehículos
• Puede utilizarse para conmutación de potencia en controladores de automatización industrial
¿Qué encapsulado debo planificar en el tamaño de la placa de circuito impreso?
El dispositivo se suministra en un encapsulado SOT‐23 de tres conductores, que requiere un pequeño tamaño de montaje en superficie compatible con patrones de tierra SOT‐23 estándar.
¿Cómo influye la tensión de accionamiento de puerta en el uso en sistemas?
La puerta se puede accionar hasta 20 V
garantizar que las excursiones de fuente de puerta permanezcan dentro de ese límite para evitar la tensión del dispositivo.
¿Qué consideraciones térmicas se aplican para un funcionamiento sostenido?
Con una temperatura de unión máxima de 175 °C y una disipación de 3 W, se recomienda una gestión térmica como vertidos de cobre o disipación térmica para un uso continuo de alta potencia.
¿Puede satisfacer las demandas ambientales de la automoción?
Está cualificado para las pruebas de tensión AEC‐Q101 y cumple la directiva RoHS, en línea con los requisitos de los componentes de automoción.
¿Cuáles son las características de conmutación esperadas?
La carga de puerta típica de 12 nC indica un requisito de carga modesto, lo que admite una energía de accionamiento relativamente baja para transiciones de conmutación.
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