MOSFET sencillos, Tipo P-Canal Vishay SQ2351CES-T1_GE3, VDSS -20 V, ID -3.2 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines

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Código RS:
653-117
Nº ref. fabric.:
SQ2351CES-T1_GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo P

Tipo de producto

MOSFET sencillos

Corriente continua máxima de drenaje ld

-3.2A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

-20V

Encapsulado

SOT-23

Serie

SQ2351CES

Tipo de montaje

Montaje en PCB

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.205Ω

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

5.5nC

Tensión directa Vf

-1.2V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±12 V

Disipación de potencia máxima Pd

2W

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

AEC-Q101

Anchura

1.4 mm

Longitud

3.04mm

Altura

1.12mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

COO (País de Origen):
CN
El MOSFET de canal P de grado de automoción Vishay está diseñado para conmutación de baja tensión en sistemas compactos. Admite tensión de fuente de drenaje de hasta 20 V y funciona de manera fiable a temperaturas de unión de hasta 175 °C. Envasado en un formato SOT-23 de ahorro de espacio, utiliza la tecnología TrenchFET para un rendimiento eficiente en entornos con restricciones térmicas.

Con cualificación AEC Q101

Sin Pb

Sin halógenos

Cumplimiento de RoHS

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