MOSFET sencillos, Tipo P-Canal Vishay SQ3419CEV-T1_GE3, VDSS -40 V, ID 6.9 A, Mejora, SOT-23 de 6 pines

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Código RS:
653-161
Nº ref. fabric.:
SQ3419CEV-T1_GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo P

Tipo de producto

MOSFET sencillos

Corriente continua máxima de drenaje ld

6.9A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

-40V

Encapsulado

SOT-23

Serie

SQ3419CEV

Tipo de montaje

Montaje en PCB

Número de pines

6

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.092Ω

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

5W

Tensión directa Vf

1.2V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

11.3nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Altura

1.1mm

Certificaciones y estándares

AEC-Q101

Longitud

3.10mm

Anchura

2.98 mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

El MOSFET de canal P de grado de automoción Vishay está diseñado para aplicaciones de conmutación compactas y de baja tensión. Admite hasta 40 V de tensión de fuente de drenaje y funciona a +175 °C, lo que lo convierte en adecuado para entornos de automoción hostiles. Envasado en un formato TSOP-6, aprovecha la tecnología TrenchFET de Vishay para proporcionar un bajo RDS(on) y un rendimiento térmico eficiente en diseños con espacio limitado.

Con cualificación AEC Q101

Sin Pb

Sin halógenos

Cumplimiento de RoHS

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