MOSFET de potencia, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 600 V, ID 21 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- Código RS:
- 653-176
- Nº ref. fabric.:
- SIHB155N60EF-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Descuento aplicable por cantidad
Ver precios por cantidadSubtotal (1 unidad)*
4,82 €
(exc. IVA)
5,83 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Disponible
- Disponible(s) 1000 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad |
|---|---|
| 1 - 9 | 4,82 € |
| 10 + | 4,68 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 653-176
- Nº ref. fabric.:
- SIHB155N60EF-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 21A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 600V | |
| Serie | EF | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.159Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 25nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 179W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30V | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 2.79mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Anchura | 9.65mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 21A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V | ||
Serie EF | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.159Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 25nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 179W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30V | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 2.79mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Anchura 9.65mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de potencia serie EF de Vishay, tensión de fuente de drenaje máxima de 600 V, corriente de drenaje continua máxima de 21 A - SIHB155N60EF-GE3
Este MOSFET de potencia es un dispositivo de conmutación de canal N de alta tensión diseñado para la conversión y el control de potencia en electrónica industrial. Funciona como un transistor de modo de mejora adecuado para montaje en orificio pasante y está diseñado para aplicaciones que requieren una conmutación robusta a tensiones y corrientes elevadas.
Características y ventajas:
• El valor nominal de drenaje de 600 V permite aplicaciones de conmutación de alta tensión • La corriente de drenaje continua de 21 A admite una manipulación de carga sustancial • La Rds(on) de 0,159 Ω reduce las pérdidas por conducción para un funcionamiento eficiente • La disipación de potencia de 179 W permite una gestión sostenida de la carga térmica • La carga de puerta típica de 25 nC facilita transiciones de conmutación rápidas • La tolerancia de puerta máxima de 30 V permite tensiones de accionamiento de puerta comunes
Aplicaciones
• Apto para fuentes de alimentación de alta tensión en equipos de automatización • Ideal para etapas de accionamiento de motor que requieren componentes de orificio pasante • Se utiliza para fuentes de alimentación de modo conmutado industriales con alta disipación • Puede utilizarse para módulos de conversión de potencia en sistemas eléctricos • Apto para prototipos e instalaciones de mantenimiento que necesitan piezas de orificio pasante
¿Qué consideraciones de montaje se aplican a la gestión térmica?
El dispositivo utiliza un encapsulado de orificio pasante TO-263 que se beneficia de un disipador térmico sustancial o un área de cobre de PCB para disipar hasta 179 W en condiciones de refrigeración adecuadas.
¿Cómo influye la carga de puerta en el diseño de accionamiento de puerta?
Una carga de puerta típica de 25 nC en el accionamiento de puerta nominal afecta a las pérdidas de conmutación y dicta la capacidad de corriente del controlador para los tiempos de subida y bajada deseados.
¿Qué rango de temperaturas cabe esperar durante el funcionamiento?
El componente está especificado para funcionar hasta -55 °C y hasta 150 °C, lo que requiere un diseño térmico adecuado para mantener las temperaturas de unión dentro de los límites.
¿Hay restricciones en la tensión de puerta durante el uso?
La tensión de fuente de puerta no debe superar 30 V para evitar el estrés por óxido de puerta y garantizar la fiabilidad a largo plazo.
¿Qué características eléctricas influyen en la eficiencia de las fuentes de alimentación?
La combinación de Rds(on) bajo y la capacidad de drenaje de 600 V reduce las pérdidas de conducción y conmutación en topologías de convertidor de alta tensión.
Enlaces relacionados
- MOSFET sencillos VDSS 600 V Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET VDSS 800 V Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET VDSS 800 V Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET sencillos VDSS 600 V Mejora, TO-263-7 de 7 pines
- MOSFET sencillos VDSS 600 V Mejora, TO-263-7 de 7 pines
- MOSFET sencillos VDSS 600 V Mejora, TO-263-7 de 7 pines
- MOSFET sencillos VDSS 600 V Mejora, TO-263-7 de 7 pines
- MOSFET sencillos VDSS 200 V Mejora, TO-263 de 3 pines