MOSFET sencillos, Tipo N-Canal Vishay SIHB155N60EF-GE3, VDSS 600 V, ID 21 A, Mejora, TO-263 de 3 pines

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Código RS:
653-175
Nº ref. fabric.:
SIHB155N60EF-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET sencillos

Corriente continua máxima de drenaje ld

21A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

600V

Encapsulado

TO-263

Serie

EF

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.159Ω

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±30 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

25nC

Tensión directa Vf

1.2V

Disipación de potencia máxima Pd

179W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Anchura

9.65 mm

Longitud

2.79mm

Estándar de automoción

No

El MOSFET de potencia de la serie E de 4a generación de Vishay dispone de un diodo de cuerpo rápido para mejorar el rendimiento de conmutación. Ofrece una baja cifra de mérito (FOM), capacidad efectiva reducida y comportamiento térmico optimizado. Diseñado para servidores, telecomunicaciones, SMPS y fuentes de alimentación de corrección de factor de potencia, proporciona una eficiencia fiable en aplicaciones de potencia exigentes.

Sin Pb

Sin halógenos

Cumplimiento de RoHS

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