MOSFET, Canal N-Canal DiodesZetex DMN3023L-7, VDSS 30 V, ID 6.2 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- Código RS:
- 718-542
- Nº ref. fabric.:
- DMN3023L-7
- Fabricante:
- DiodesZetex
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- Código RS:
- 718-542
- Nº ref. fabric.:
- DMN3023L-7
- Fabricante:
- DiodesZetex
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | DiodesZetex | |
| Tipo de canal | Canal N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 6.2A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Encapsulado | SOT-23 | |
| Serie | DMN3023L | |
| Tipo de montaje | Montaje superficial | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 68mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 18.4nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 1.3W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -50°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 1mm | |
| Longitud | 3mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca DiodesZetex | ||
Tipo de canal Canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 6.2A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Encapsulado SOT-23 | ||
Serie DMN3023L | ||
Tipo de montaje Montaje superficial | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 68mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 18.4nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 1.3W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -50°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 1mm | ||
Longitud 3mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
- COO (País de Origen):
- CN
El MOSFET de modo de mejora de canal N de DiodesZetex está diseñado para aplicaciones de gestión de potencia eficientes. Su estructura avanzada minimiza la resistencia en estado activo, lo que lo convierte en ideal para una gran variedad de aplicaciones en las que la eficiencia energética es fundamental. Con excelentes capacidades de conmutación y tensión de umbral de puerta mínima, este MOSFET ofrece un rendimiento fiable tanto en dispositivos electrónicos de consumo como industriales. El producto cumple con RoHS y dispone de protección ESD, lo que garantiza la seguridad y la longevidad en diversas condiciones de funcionamiento.
Resistencia baja de 25 mΩ a VGS = 10 V para reducir la pérdida de potencia
La tensión de umbral de puerta baja mejora la compatibilidad con señales de control de baja tensión
La velocidad de conmutación rápida admite aplicaciones de alta frecuencia de manera eficaz
La puerta con protección ESD garantiza la fiabilidad del dispositivo en condiciones dinámicas
Totalmente libre de plomo y completamente conforme con RoHS para mayor seguridad ambiental
Sin halógenos y antimonio, lo que contribuye a su clasificación como dispositivo "verde"
Calificación conforme a los estándares AEC-Q101, lo que garantiza una alta fiabilidad para aplicaciones de automoción
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