MOSFET, Canal P-Canal DiodesZetex DMG2301L-7, VDSS -20 V, ID -3 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- Código RS:
- 719-544
- Nº ref. fabric.:
- DMG2301L-7
- Fabricante:
- DiodesZetex
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 5 - 120 | 0,07 € | 0,35 € |
| 125 - 495 | 0,062 € | 0,31 € |
| 500 - 2495 | 0,056 € | 0,28 € |
| 2500 + | 0,048 € | 0,24 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 719-544
- Nº ref. fabric.:
- DMG2301L-7
- Fabricante:
- DiodesZetex
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | DiodesZetex | |
| Tipo de canal | Canal P | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | -3A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | -20V | |
| Encapsulado | SOT-23 | |
| Serie | DMG2301L | |
| Tipo de montaje | Montaje superficial | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 150mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -50°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 5.5nC | |
| Tensión directa Vf | -1.2V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 1.5W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 8 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 1.15mm | |
| Anchura | 2.55 mm | |
| Longitud | 3mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca DiodesZetex | ||
Tipo de canal Canal P | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld -3A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds -20V | ||
Encapsulado SOT-23 | ||
Serie DMG2301L | ||
Tipo de montaje Montaje superficial | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 150mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -50°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 5.5nC | ||
Tensión directa Vf -1.2V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 1.5W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 8 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 1.15mm | ||
Anchura 2.55 mm | ||
Longitud 3mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
El MOSFET de modo de mejora de canal P robusto de DiodesZetex está diseñado para aplicaciones de gestión de potencia de alta eficiencia. Este dispositivo está diseñado para lograr una baja resistencia de conexión al tiempo que garantiza un rendimiento de conmutación superior, lo que lo convierte en ideal para usar en aplicaciones de automoción, convertidores dc-dc y circuitos de control de motores. Con un enfoque en la compatibilidad con el medio ambiente, es sin halógenos y antimonio, completamente compatible con los estándares RoHS.
Baja resistencia de encendido para un manejo eficiente de la potencia
La velocidad de conmutación rápida optimiza el rendimiento en aplicaciones de gestión de potencia
La corriente de drenaje continua nominal de -3 A garantiza un rendimiento robusto en condiciones de carga
Completamente sin plomo y cumple las directivas de la UE para un diseño respetuoso con el medio ambiente
Los terminales estañados SMatte garantizan una buena soldadura e integridad de conexión
El diseño ligero de aproximadamente 0,008 gramos mejora la eficiencia en dispositivos compactos
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