MOSFET, Canal P-Canal DiodesZetex DMP3099L-13, VDSS -30 V, ID -3.8 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- Código RS:
- 719-578
- Nº ref. fabric.:
- DMP3099L-13
- Fabricante:
- DiodesZetex
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 5 - 120 | 0,07 € | 0,35 € |
| 125 - 495 | 0,062 € | 0,31 € |
| 500 - 2495 | 0,056 € | 0,28 € |
| 2500 - 4995 | 0,048 € | 0,24 € |
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*precio indicativo
- Código RS:
- 719-578
- Nº ref. fabric.:
- DMP3099L-13
- Fabricante:
- DiodesZetex
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Canal P | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | -3.8A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | -30V | |
| Serie | DMP3099L | |
| Encapsulado | SOT-23 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 99mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Tensión directa Vf | -1.26V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 1.08W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 11nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -50°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 1.15mm | |
| Anchura | 2.5mm | |
| Longitud | 3mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Canal P | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld -3.8A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds -30V | ||
Serie DMP3099L | ||
Encapsulado SOT-23 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 99mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Tensión directa Vf -1.26V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 1.08W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 11nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -50°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 1.15mm | ||
Anchura 2.5mm | ||
Longitud 3mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
El MOSFET de modo de mejora de canal P de DiodesZetex está diseñado para aplicaciones de gestión de potencia de alta eficiencia. Este dispositivo destaca por minimizar la resistencia de estado encendido al tiempo que mantiene un rendimiento de conmutación superior, lo que lo convierte en muy adecuado para funciones de gestión de potencia como convertidores dc-dc y retroiluminación. Está diseñado para funcionar de manera eficaz en los mercados de automoción y de uso general, encarnando una iniciativa "verde" al ser sin plomo y conforme con RoHS, lo que aumenta su atractivo en aplicaciones respetuosas con el medio ambiente. Además, el dispositivo admite un amplio rango de temperaturas, lo que garantiza un funcionamiento fiable en diversas condiciones ambientales.
La baja tensión de umbral de puerta garantiza un funcionamiento eficiente en aplicaciones de baja potencia
La tensión de drenaje-fuente máx. de -30 V admite una amplia variedad de aplicaciones
La resistencia de conexión de drenaje estático-fuente tan baja como 65 mΩ minimiza la pérdida de energía durante el funcionamiento
Conformidad con las directivas RoHS de la UE, lo que garantiza la seguridad ambiental y el cumplimiento de las normativas
Diseñado con baja capacitancia de entrada que mejora la velocidad de conmutación para un rendimiento eficiente
La capacidad de disipación de potencia total de 1,08 W permite la gestión térmica en diseños compactos
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