MOSFET, Canal N-Canal Vishay SQJQ118E-T1_GE3, VDSS 100 V, ID 155 A, Mejora, PowerPAK (8x8L) de 4 pines

Subtotal (1 unidad)*

2,70 €

(exc. IVA)

3,27 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Agotado temporalmente
  • Envío desde el 31 de marzo de 2027
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
1 +2,70 €

*precio indicativo

Código RS:
735-271
Nº ref. fabric.:
SQJQ118E-T1_GE3
Fabricante:
Vishay
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Canal N

Corriente continua máxima de drenaje ld

155A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Encapsulado

PowerPAK (8x8L)

Serie

TrenchFET

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.0098Ω

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

230W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

122nC

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Longitud

8mm

Altura

1.9mm

Anchura

7.9mm

Certificaciones y estándares

RoHS Compliant

Estándar de automoción

AEC-Q101

COO (País de Origen):
CN

Enlaces relacionados

Mantente al día de nuestras novedades y ofertas

Introduce tu dirección de correo

La información personal que nos proporciones al suscribirte se procesará de acuerdo con nuestra política de privacidad.