MOSFET, Canal N-Canal Vishay SQJQ118E-T1_GE3, VDSS 100 V, ID 155 A, Mejora, PowerPAK (8x8L) de 4 pines

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Código RS:
735-271
Nº ref. fabric.:
SQJQ118E-T1_GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Canal N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

155A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Encapsulado

PowerPAK (8x8L)

Serie

TrenchFET

Tipo de montaje

Montaje superficial

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.0098Ω

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

230W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±20 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

122nC

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS Compliant

Anchura

7.9 mm

Longitud

8mm

Altura

1.9mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

COO (País de Origen):
CN

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