MOSFET, Canal P-Canal Vishay SQJQ143EL-T1_GE3, VDSS 40 V, ID -192 A, Mejora, PowerPAK (8x8L) de 8 pines

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Código RS:
735-117
Nº ref. fabric.:
SQJQ143EL-T1_GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Canal P

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

-192A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Serie

SQJQ143EL

Encapsulado

PowerPAK (8x8L)

Tipo de montaje

Montaje superficial

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.0059Ω

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.2V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Disipación de potencia máxima Pd

283W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

241nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Anchura

8mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Longitud

7.9mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

COO (País de Origen):
CN
El MOSFET de potencia de Vishay está diseñado para aplicaciones de automoción, capaz de funcionar en condiciones hostiles. Su estructura robusta garantiza la fiabilidad en escenarios exigentes, optimizando el rendimiento con su diseño avanzado.

La baja resistencia en estado activo garantiza una pérdida de potencia reducida

El rendimiento térmico optimizado prolonga la vida útil

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