MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SQJQ130EL-T1_GE3, VDSS 30 V, ID 445 A, Mejora, PowerPAK (8x8L) de 4 pines

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
239-8678
Nº ref. fabric.:
SQJQ130EL-T1_GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo P

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

445A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Encapsulado

PowerPAK (8x8L)

Serie

TrenchFET Gen IV

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.00052Ω

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

255W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

43nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Tensión directa Vf

1.1V

Temperatura de funcionamiento máxima

125°C

Anchura

4.9 mm

Certificaciones y estándares

AEC-Q101

Longitud

6.15mm

Altura

1.6mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

El Vishay SQJQ es un MOSFET de canal P de automoción que funciona a 30 V y 175 °C de temperatura. Este MOSFET se utiliza para alta densidad de potencia.

Baja resistencia

Calificación AEC-Q101

Probado conforme a UIS

Encapsulado delgado

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