MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SQJQ112E-T1_GE3, VDSS 30 V, ID 445 A, Reducción, PowerPAK (8x8L) de 4 pines
- Código RS:
- 239-8676
- Nº ref. fabric.:
- SQJQ112E-T1_GE3
- Fabricante:
- Vishay
Descuento aplicable por cantidad
Ver precios por cantidadSubtotal (1 paquete de 2 unidades)*
9,56 €
(exc. IVA)
11,56 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Existencias limitadas
- Disponible(s) 676 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 4,78 € | 9,56 € |
| 20 - 48 | 4,49 € | 8,98 € |
| 50 - 98 | 4,07 € | 8,14 € |
| 100 - 198 | 3,815 € | 7,63 € |
| 200 + | 3,59 € | 7,18 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 239-8676
- Nº ref. fabric.:
- SQJQ112E-T1_GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 445A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Encapsulado | PowerPAK (8x8L) | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.00253Ω | |
| Modo de canal | Reducción | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 43nC | |
| Tensión directa Vf | 1.1V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 255W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 125°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 6.15mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 445A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Encapsulado PowerPAK (8x8L) | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.00253Ω | ||
Modo de canal Reducción | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 43nC | ||
Tensión directa Vf 1.1V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 255W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 125°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 6.15mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El Vishay TrenchFET® es un MOSFET de canal N de potencia Gen IV de automoción que funciona a 100 V y 175 °C de temperatura. Este MOSFET se utiliza para alta densidad de potencia.
Calificación AEC-Q101
Probado conforme a UIS
Encapsulado delgado
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 30 V Reducción, PowerPAK (8x8L) de 4 pines
- MOSFET VDSS 30 V Reducción, PowerPAK (8x8L) de 4 pines
- MOSFET VDSS 30 V Mejora, PowerPAK (8x8L) de 4 pines
- MOSFET VDSS 30 V Mejora, PowerPAK (8x8L) de 4 pines
- MOSFET VDSS 60 V PowerPAK (8x8L) de 4 pines
- MOSFET VDSS 80 V PowerPAK (8x8L) de 4 pines
- MOSFET VDSS 60 V PowerPAK (8x8L) de 4 pines
- MOSFET VDSS 30 V PowerPAK (8x8L) de 4 pines