MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 30 V, ID 445 A, Reducción, PowerPAK (8x8L) de 4 pines

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Código RS:
239-8675
Nº ref. fabric.:
SQJQ112E-T1_GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

445A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Encapsulado

PowerPAK (8x8L)

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.00253Ω

Modo de canal

Reducción

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

255W

Tensión directa Vf

1.1V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

43nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

125°C

Certificaciones y estándares

No

Longitud

6.15mm

Anchura

4.9 mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

El Vishay TrenchFET® es un MOSFET de canal N de potencia Gen IV de automoción que funciona a 100 V y 175 °C de temperatura. Este MOSFET se utiliza para alta densidad de potencia.

Calificación AEC-Q101

Probado conforme a UIS

Encapsulado delgado

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