Módulos MOSFET Infineon, N-Canal FF1000UXTR23T2M1PBPSA1, VDSS 2.3 kV, ID 1.185 kA, XHP-2, Mejora de 15 pines, config.

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Código RS:
762-888
Nº ref. fabric.:
FF1000UXTR23T2M1PBPSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

Módulos MOSFET

Tipo de canal

N

Corriente continua máxima de drenaje ld

1.185kA

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

2.3kV

Encapsulado

XHP-2

Serie

XHP 2

Tipo de montaje

Terminal roscado

Número de pines

15

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.19mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

-23V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Disipación de potencia máxima Pd

20mW

Tensión directa Vf

6.25V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

5.3μC

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Configuración de transistor

Medio puente

Longitud

140mm

Certificaciones y estándares

RoHS Compliant

Anchura

100mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
DE
El módulo de medio puente MOSFET CoolSiC de Infineon tiene una tensión nominal de 2300 V y admite alta densidad de corriente. Dispone de placa base AlSiC para mayor capacidad de ciclo térmico y altas distancias de fuga y separación.

Diseño de baja inducción

Bajas pérdidas por conmutación

Alta densidad de potencia

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