Módulos MOSFET Infineon, N-Canal FF2000UXTR23T2M1PBPSA1, VDSS 2.3 kV, ID 675 A, XHP-2, Mejora de 15 pines, config. Medio
- Código RS:
- 762-892
- Nº ref. fabric.:
- FF2000UXTR23T2M1PBPSA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | Módulos MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 675A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 2.3kV | |
| Serie | XHP 2 | |
| Encapsulado | XHP-2 | |
| Tipo de montaje | Terminal roscado | |
| Número de pines | 15 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 2.4mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 6.25V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 2.65μC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | -23V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 20mW | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Configuración de transistor | Medio puente | |
| Longitud | 140mm | |
| Anchura | 100mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS Compliant | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto Módulos MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 675A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 2.3kV | ||
Serie XHP 2 | ||
Encapsulado XHP-2 | ||
Tipo de montaje Terminal roscado | ||
Número de pines 15 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 2.4mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 6.25V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 2.65μC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta -23V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 20mW | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Configuración de transistor Medio puente | ||
Longitud 140mm | ||
Anchura 100mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS Compliant | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- DE
El módulo de medio puente MOSFET CoolSiC de Infineon tiene una tensión nominal de 2300 V y admite alta densidad de corriente. Dispone de placa base AlSiC para mayor capacidad de ciclo térmico y altas distancias de fuga y separación.
Diseño de baja inducción
Bajas pérdidas por conmutación
Alta densidad de potencia
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