Transistor de potencia, Canal N-Canal Infineon IGLT65R110B2AUMA1, VDSS 650 V, ID 30 A, Mejora, PG-HDSOP-16 de 9 pines

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Código RS:
762-901
Nº ref. fabric.:
IGLT65R110B2AUMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Canal N

Tipo de producto

Transistor de potencia

Corriente continua máxima de drenaje ld

30A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Encapsulado

PG-HDSOP-16

Serie

CoolGaN

Tipo de montaje

Montaje superficial

Número de pines

9

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

140mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

1.61nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

-10V

Disipación de potencia máxima Pd

55W

Tensión directa Vf

1V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Anchura

10.1mm

Certificaciones y estándares

RoHS Compliant

Altura

2.35mm

Longitud

10.3mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
MY
El interruptor bidireccional (BDS) CoolGaN de Infineon utiliza tecnología de nitruro de gallio para proporcionar un bloqueo de tensión eficiente en ambas direcciones. Integra el control de tensión del sustrato, lo que simplifica el diseño para diversas aplicaciones industriales. El modelo IGLT65R110B2 está alojado en un encapsulado TOLT, optimizado para alta densidad de potencia.

Optimizado para un funcionamiento de conmutación suave

Puerta doble para una funcionalidad bidireccional independiente

Rendimiento superior

Versátil para diversas aplicaciones industriales

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