Transistor de potencia, Canal N-Canal Infineon IGLT65R110B2AUMA1, VDSS 650 V, ID 30 A, Mejora, PG-HDSOP-16 de 9 pines
- Código RS:
- 762-901
- Nº ref. fabric.:
- IGLT65R110B2AUMA1
- Fabricante:
- Infineon
Subtotal (1 unidad)*
6,80 €
(exc. IVA)
8,23 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
- Disponible(s) 1799 unidad(es) más para enviar a partir del 30 de junio de 2026
Unidad(es) | Por unidad |
|---|---|
| 1 - 9 | 6,80 € |
| 10 - 99 | 5,45 € |
| 100 - 499 | 4,42 € |
| 500 - 999 | 3,92 € |
| 1000 + | 3,46 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 762-901
- Nº ref. fabric.:
- IGLT65R110B2AUMA1
- Fabricante:
- Infineon
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de producto | Transistor de potencia | |
| Tipo de canal | Canal N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 30A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Encapsulado | PG-HDSOP-16 | |
| Serie | CoolGaN | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 9 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 140mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 1.61nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 55W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | -10V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 10.1mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS Compliant | |
| Longitud | 10.3mm | |
| Altura | 2.35mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de producto Transistor de potencia | ||
Tipo de canal Canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 30A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Encapsulado PG-HDSOP-16 | ||
Serie CoolGaN | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 9 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 140mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 1.61nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 55W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta -10V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 10.1mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS Compliant | ||
Longitud 10.3mm | ||
Altura 2.35mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- MY
Enlaces relacionados
- MOSFET de potencia VDSS 650 V Mejora, PG-HDSOP-16 de 16 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, PG-HDSOP-10 de 10 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, PG-HDSOP-10 de 10 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, PG-HDSOP-16 de 16 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, PG-HDSOP-16 de 16 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, PG-HDSOP-16 de 16 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, PG-HDSOP-16 de 16 pines
- MOSFET VDSS 650 V PG-HDSOP-16, Mejora de 16 pines
