MOSFET, N-Canal Infineon IGLT65R035D2ATMA1, VDSS 650 V, ID 47 A, Mejora, PG-HDSOP-16 de 16 pines
- Código RS:
- 351-889
- Nº ref. fabric.:
- IGLT65R035D2ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- 351-889
- Nº ref. fabric.:
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- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 47A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Serie | IGLT65 | |
| Encapsulado | PG-HDSOP-16 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 16 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.042Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 10V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 154W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 7.7nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | JEDEC for Industrial Applications | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 47A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Serie IGLT65 | ||
Encapsulado PG-HDSOP-16 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 16 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.042Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 10V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 154W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 7.7nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares JEDEC for Industrial Applications | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- MY
MOSFET de la serie IGLT65 de Infineon, tensión de fuente de drenaje de 650 V, corriente de drenaje continua de 47 A - IGLT65R035D2ATMA1
Este MOSFET es un dispositivo de mejora de canal N de alta tensión diseñado para conmutación y control de potencia industrial. Funciona en un amplio rango ambiente y está diseñado para conjuntos de circuitos de montaje en superficie donde se requiere un manejo robusto de tensión de drenaje a fuente y una carga de puerta moderada. El encapsulado admite montaje de varios contactos e integración en módulos de potencia compactos para sistemas electrónicos exigentes.
Características y ventajas:
• Valor nominal de drenaje-fuente de 650 V para aplicaciones de conmutación de alta tensión
• Corriente de drenaje continua de 47 A que permite un manejo de corriente elevado
• RDS(on) de 0,042 Ω para reducir las pérdidas por conducción
• Disipación de potencia de 154 W para gestionar la carga térmica
• Carga de puerta típica de 7,7 nC para una conducción de puerta eficiente
• Encapsulado de montaje en superficie PG‐HDSOP‐16 para diseños de PCB compactos
• Corriente de drenaje continua de 47 A que permite un manejo de corriente elevado
• RDS(on) de 0,042 Ω para reducir las pérdidas por conducción
• Disipación de potencia de 154 W para gestionar la carga térmica
• Carga de puerta típica de 7,7 nC para una conducción de puerta eficiente
• Encapsulado de montaje en superficie PG‐HDSOP‐16 para diseños de PCB compactos
Aplicaciones
• Apto para etapas de inversor de alta tensión industriales
• Se utiliza con fuentes de alimentación que requieren una capacidad de conmutación de 47 A
• Ideal para frontales de accionamiento de motor en equipos industriales
• Puede utilizarse para circuitos de amortiguación y abrazadera en sistemas de alta tensión
• Apto para módulos de potencia compactos que requieren MOSFET de montaje en superficie
• Se utiliza con fuentes de alimentación que requieren una capacidad de conmutación de 47 A
• Ideal para frontales de accionamiento de motor en equipos industriales
• Puede utilizarse para circuitos de amortiguación y abrazadera en sistemas de alta tensión
• Apto para módulos de potencia compactos que requieren MOSFET de montaje en superficie
¿Qué temperaturas extremas puede tolerar en funcionamiento?
Está especificado para funcionar entre -55 °C y 150 °C, lo que permite su uso en entornos térmicos hostiles e instalaciones industriales de temperatura extendida.
¿Cuántos contactos presenta el encapsulado para considerar la disposición de la placa de circuito impreso?
El componente utiliza una configuración de 16 contactos que informa el diseño de huella térmica a través de la colocación para una disipación térmica eficaz.
¿Qué limitaciones de tensión de accionamiento de puerta deben observarse?
La tensión máxima de puerta a fuente es de 10 V, por lo que los circuitos de controlador de puerta deben limitar la amplitud de accionamiento en consecuencia.
¿El dispositivo cumple los estándares de prueba del sector para aplicaciones industriales?
Se fabrica conforme a los criterios JEDEC para uso industrial, lo que lo alinea con las expectativas de certificación y fiabilidad comunes para ese sector.
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