MOSFET, N-Canal Infineon IMLT65R020M2HXTMA1, VDSS 650 V, ID 107 A, Mejora, PG-HDSOP-16 de 16 pines
- Código RS:
- 349-048
- Nº ref. fabric.:
- IMLT65R020M2HXTMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 107A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Encapsulado | PG-HDSOP-16 | |
| Serie | CoolSiC | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 16 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 24mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 454W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 57nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 23V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 107A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Encapsulado PG-HDSOP-16 | ||
Serie CoolSiC | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 16 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 24mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 454W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 57nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 23V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- MY
Este MOSFET CoolSiC 650 V G2 de Infineon se basa en la robusta tecnología de trincheras de carburo de silicio de 2.ª generación de Infineon, lo que proporciona un rendimiento incomparable, una fiabilidad superior y una excelente facilidad de uso. Diseñado para satisfacer las demandas de los sistemas de energía modernos, este MOSFET permite diseños rentables, altamente eficientes y simplificados. Es la solución ideal para hacer frente a las necesidades cada vez mayores de los sistemas y mercados energéticos, ya que ofrece tanto alto rendimiento como eficiencia energética para una amplia gama de aplicaciones.
Pérdidas por conmutación ultrabajas
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