MOSFET, N-Canal Infineon IMLT65R015M2HXTMA1, VDSS 650 V, ID 142 A, Mejora, PG-HDSOP-16 de 16 pines
- Código RS:
- 349-047
- Nº ref. fabric.:
- IMLT65R015M2HXTMA1
- Fabricante:
- Infineon
Consigue un descuento por cantidad
Añade 10 más para ahorrar un 9%
Ver precios por cantidadSubtotal (1 unidad)*
19,66 €
(exc. IVA)
23,79 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Agotado temporalmente
- Envío desde el 04 de noviembre de 2027
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Ahorro |
|---|---|---|
| 1 - 9 | 19,66 € | - |
| 10 - 99 | 17,70 € | 9% |
| 100 + | 16,31 € | 17% |
*precio indicativo
- Código RS:
- 349-047
- Nº ref. fabric.:
- IMLT65R015M2HXTMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 142A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Encapsulado | PG-HDSOP-16 | |
| Serie | IMLT | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 16 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 18mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 148nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 600W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 23V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 142A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Encapsulado PG-HDSOP-16 | ||
Serie IMLT | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 16 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 18mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 148nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 600W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 23V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- MY
MOSFET de la serie IMLT de Infineon, tensión de drenaje-fuente de 650 V, corriente de drenaje continua de 142 A - IMLT65R015M2HXTMA1
Este MOSFET es un dispositivo de mejora de canal N de alta tensión diseñado para funciones de conmutación de potencia exigentes. Funciona en un amplio rango de temperaturas y se suministra en un encapsulado compacto de montaje en superficie adecuado para montajes electrónicos densos. El dispositivo ofrece una capacidad de manejo de potencia considerable al tiempo que cumple los límites ambientales de la directiva RoHS.
Características y ventajas:
• La resistencia de encendido de 18 mΩ reduce las pérdidas por conducción
• La disipación de potencia de 600 W admite conmutación de carga pesada
• La corriente de drenaje continua de 142 A permite aplicaciones de alta corriente
• La fuente de drenaje nominal de 650 V permite un funcionamiento de alta tensión
• El límite de fuente de puerta de 23 V proporciona protección contra sobretensión de puerta
• La disipación de potencia de 600 W admite conmutación de carga pesada
• La corriente de drenaje continua de 142 A permite aplicaciones de alta corriente
• La fuente de drenaje nominal de 650 V permite un funcionamiento de alta tensión
• El límite de fuente de puerta de 23 V proporciona protección contra sobretensión de puerta
Aplicaciones
• Apto para convertidores de potencia de alta tensión
• Ideal para etapas de accionamiento de motores industriales
• Se utiliza para circuitos dc-dc y PFC
• Se puede utilizar para inversores de energía renovable
• Apto para módulos de conmutación de alta corriente
• Ideal para etapas de accionamiento de motores industriales
• Se utiliza para circuitos dc-dc y PFC
• Se puede utilizar para inversores de energía renovable
• Apto para módulos de conmutación de alta corriente
¿Qué tipo de encapsulado utiliza para el montaje de PCB?
Se suministra en un encapsulado de montaje en superficie PG‐HDSOP‐16 adecuado para colocación automatizada.
¿Qué entorno térmico puede soportar?
Funciona entre -55 °C y 175 °C para un amplio despliegue de temperaturas.
¿Cómo afecta su carga de puerta al rendimiento de conmutación?
La carga de puerta típica es de 148 nC, lo que influye en los requisitos de accionamiento y las pérdidas de conmutación durante las transiciones.
¿Es adecuado para la certificación de automoción?
No está especificado como conforme con el estándar de automoción, pero cumple las restricciones ambientales de RoHS.
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, PG-HDSOP-16 de 16 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, PG-HDSOP-16 de 16 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, PG-HDSOP-16 de 16 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, PG-HDSOP-16 de 16 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, PG-HDSOP-16 de 16 pines
- MOSFET VDSS 650 V PG-HDSOP-16, Mejora de 16 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, PG-HDSOP-16 de 16 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, PG-HDSOP-16 de 16 pines