MOSFET, N-Canal Infineon IMLT65R040M2HXTMA1, VDSS 650 V, ID 57 A, Mejora, PG-HDSOP-16 de 16 pines
- Código RS:
- 349-050
- Nº ref. fabric.:
- IMLT65R040M2HXTMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 349-050
- Nº ref. fabric.:
- IMLT65R040M2HXTMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 57A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Serie | CoolSiC | |
| Encapsulado | PG-HDSOP-16 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 16 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 40mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 28nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 268W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 23V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 57A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Serie CoolSiC | ||
Encapsulado PG-HDSOP-16 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 16 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 40mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 28nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 268W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 23V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- MY
Este MOSFET CoolSiC 650 V G2 de Infineon se basa en la robusta tecnología de trincheras de carburo de silicio de 2.ª generación de Infineon, lo que proporciona un rendimiento incomparable, una fiabilidad superior y una excelente facilidad de uso. Diseñado para satisfacer las demandas de los sistemas de energía modernos, este MOSFET permite diseños rentables, altamente eficientes y simplificados. Es la solución ideal para hacer frente a las necesidades cada vez mayores de los sistemas y mercados energéticos, ya que ofrece tanto alto rendimiento como eficiencia energética para una amplia gama de aplicaciones.
Pérdidas por conmutación ultrabajas
Robusto contra encendido parásito incluso con una tensión de puerta de apagado de 0 V
Tensión de excitación flexible y compatible con el esquema de control bipolar
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