MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 650 V, ID 57 A, Mejora, PG-HDSOP-10-1 de 10 pines
- Código RS:
- 273-2788
- Nº ref. fabric.:
- IPDD60R050G7XTMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- 273-2788
- Nº ref. fabric.:
- IPDD60R050G7XTMA1
- Fabricante:
- Infineon
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 57A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Serie | OptiMOS | |
| Encapsulado | PG-HDSOP-10-1 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 10 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 50mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 278W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 68nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 57A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Serie OptiMOS | ||
Encapsulado PG-HDSOP-10-1 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 10 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 50mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 278W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 68nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
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