MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPDD60R050G7XTMA1, VDSS 650 V, ID 57 A, Mejora, PG-HDSOP-10-1 de 10 pines

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Código RS:
273-2787
Nº ref. fabric.:
IPDD60R050G7XTMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

57A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Encapsulado

PG-HDSOP-10-1

Serie

OptiMOS

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

10

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

50mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

68nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

278W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

El MOSFET de Infineon es fácil de usar y reúne los criterios de calidad más elevados. Es posible aumentar las economías de escala mediante el uso en topologías PFC y PWM en la aplicación. La reducción de la inductancia de la fuente parásita por la fuente Kelvin mejora la eficiencia mediante una conmutación más rápida y la facilidad de uso gracias a menos sonidos.

Completamente sin plomo

Conformidad con RUSP

Cables que facilitan la inspección visual

Mejora el rendimiento térmico

Apto para conmutación dura y suave

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