MOSFET Infineon IPDD60R050G7XTMA1, VDSS 650 V, ID 57 A, HDSOP de 10 pines

Código RS:: 273-2787
Nº ref. fabric.:: IPDD60R050G7XTMA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon IPDD60R050G7XTMA1, VDSS 650 V, ID 57 A, HDSOP de 10 pines

100 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).

Precio unitario (Suministrado en Carretes de 1700)

5,556 €

(exc. IVA)

6,723 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Carrete*
1700 +	5,556 €	9.445,20 €

*precio indicativo

Código RS:: 273-2787
Nº ref. fabric.:: IPDD60R050G7XTMA1
Fabricante:: Infineon

Documentación Técnica

Datasheet - IPDD60R050G7XTMA1

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

El MOSFET de Infineon es fácil de usar y reúne los criterios de calidad más elevados. Es posible aumentar las economías de escala mediante el uso en topologías PFC y PWM en la aplicación. La reducción de la inductancia de la fuente parásita por la fuente Kelvin mejora la eficiencia mediante una conmutación más rápida y la facilidad de uso gracias a menos sonidos.

Completamente sin plomo
Conformidad con RUSP
Cables que facilitan la inspección visual
Mejora el rendimiento térmico
Apto para conmutación dura y suave

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	57 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	650 V
Tipo de Encapsulado	HDSOP
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	10
Modo de Canal	Mejora
Número de Elementos por Chip	1

MOSFET Infineon IPDD60R050G7XTMA1, VDSS 650 V, ID 57 A, HDSOP de 10 pines

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