MOSFET de potencia, Canal N-Canal Infineon IAUZN04S7L012ATMA1, VDSS 40 V, ID 199 A, Mejora, Cinta y carrete de 8 pines

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Código RS:
762-929
Nº ref. fabric.:
IAUZN04S7L012ATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET de potencia

Tipo de canal

Canal N

Corriente continua máxima de drenaje ld

199A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Serie

OptiMOS

Encapsulado

Cinta y carrete

Tipo de montaje

Montaje superficial

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.25mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

42nC

Disipación de potencia máxima Pd

94W

Tensión directa Vf

0.95V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Longitud

2.29mm

Altura

1.1mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

AEC-Q101

COO (País de Origen):
MY
El transistor de potencia MOSFET de automoción de Infineon es un MOSFET de modo de mejora de canal N diseñado para aplicaciones de automoción. Funciona en condiciones de alta temperatura y cuenta con una estructura robusta. Calificación ampliada más allá de AEC-Q101.

Pruebas eléctricas mejoradas

Diseño robusto

Conforme a RoHS

100 % a prueba de avalancha

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