MOSFET de potencia, Canal N-Canal Infineon IAUZN04S7N049ATMA1, VDSS 40 V, ID 60 A, Mejora, Cinta y carrete de 8 pines
- Código RS:
- 762-976
- Nº ref. fabric.:
- IAUZN04S7N049ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 762-976
- Nº ref. fabric.:
- IAUZN04S7N049ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Tipo de canal | Canal N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 60A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Serie | OptiMOS | |
| Encapsulado | Cinta y carrete | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 4.93mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Tensión directa Vf | 0.95V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 10.5nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 45W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Longitud | 2.29mm | |
| Altura | 1.1mm | |
| Anchura | 2.29mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Tipo de canal Canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 60A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Serie OptiMOS | ||
Encapsulado Cinta y carrete | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 4.93mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Tensión directa Vf 0.95V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 10.5nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 45W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Longitud 2.29mm | ||
Altura 1.1mm | ||
Anchura 2.29mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
- COO (País de Origen):
- MY
El transistor de potencia MOSFET de automoción de Infineon es un MOSFET de modo de mejora de canal N diseñado para aplicaciones de automoción. Funciona en condiciones de alta temperatura y cuenta con una estructura robusta. Calificación ampliada más allá de AEC-Q101.
Pruebas eléctricas mejoradas
Diseño robusto
Conforme a RoHS
100 % a prueba de avalancha
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