Módulos MOSFET Infineon, Canal N-Canal F48MXTR12C2M2QH11BPSA1, VDSS 1200 V, ID 100 A, PG-TSDSO, Mejora de 22 pines,
- Código RS:
- 762-954
- Nº ref. fabric.:
- F48MXTR12C2M2QH11BPSA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 762-954
- Nº ref. fabric.:
- F48MXTR12C2M2QH11BPSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Canal N | |
| Tipo de producto | Módulos MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 100A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 1200V | |
| Encapsulado | PG-TSDSO | |
| Serie | EasyPACK | |
| Tipo de montaje | Terminal roscado | |
| Número de pines | 22 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 8.3mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 0.237μC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 20mW | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Tensión directa Vf | 5.35V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Configuración de transistor | Medio puente | |
| Certificaciones y estándares | RoHS Compliant | |
| Longitud | 57.1mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Canal N | ||
Tipo de producto Módulos MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 100A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 1200V | ||
Encapsulado PG-TSDSO | ||
Serie EasyPACK | ||
Tipo de montaje Terminal roscado | ||
Número de pines 22 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 8.3mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 0.237μC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 20mW | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Tensión directa Vf 5.35V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Configuración de transistor Medio puente | ||
Certificaciones y estándares RoHS Compliant | ||
Longitud 57.1mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- DE
El módulo EasyPACK de Infineon dispone de MOSFET CoolSiC Trench con una tensión nominal de 1200 V y capacidades de corriente de 75 A y 150 A como máximo. Incluye un sensor de temperatura NTC integrado y abrazaderas de montaje resistentes. Además, el encapsulado demuestra un índice de seguimiento comparativo (CTI) superior a 600 y un contacto de alta corriente.
Diseño de baja inducción
Bajas pérdidas por conmutación
Alta densidad de corriente
Tecnología de contacto PressFIT
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