MOSFET, Canal N-Canal ROHM RQ3G120BKFRATCB, VDSS 40 V, ID 12 A, HSMT de 8 pines

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Código RS:
780-667
Nº ref. fabric.:
RQ3G120BKFRATCB
Fabricante:
ROHM
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Marca

ROHM

Tipo de canal

Canal N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

12A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Encapsulado

HSMT

Tipo de montaje

Montaje superficial

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

28mΩ

Disipación de potencia máxima Pd

40W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

8.5nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

10V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

3.3mm

Certificaciones y estándares

RoHS Compliant

Anchura

3.1mm

Altura

0.9mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

El MOSFET de potencia de ROHM proporciona conmutación de canal N de alto rendimiento para la gestión de potencia de automoción. Este robusto dispositivo está diseñado para sistemas ADAS e infotainment, lo que garantiza un rendimiento eficiente en entornos de vehículos exigentes de hasta 150 °C.

Tensión de drenaje a fuente de 40 V

Corriente de drenaje continua de 12 A

Resistencia de conexión típica de 17,4 mΩ a 10 V

Alta disipación de potencia de 40 W

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