MOSFET, Canal N-Canal ROHM RQ3P120BLFRATCB, VDSS 100 V, ID 12 A, HSMT de 8 pines

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Código RS:
780-680
Nº ref. fabric.:
RQ3P120BLFRATCB
Fabricante:
ROHM
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Marca

ROHM

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Canal N

Corriente continua máxima de drenaje ld

12A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Encapsulado

HSMT

Tipo de montaje

Montaje superficial

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

83mΩ

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

6.8nC

Disipación de potencia máxima Pd

40W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

10V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

RoHS Compliant

Anchura

3.1mm

Altura

0.9mm

Longitud

3.3mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

El MOSFET de potencia de ROHM proporciona conmutación de canal N de alto rendimiento para la gestión de potencia de automoción. Este dispositivo con certificación AEC-Q101 está diseñado para ADAS y sistemas de infoentretenimiento, lo que garantiza un funcionamiento eficiente en un tamaño compacto de 3,2 mm x 3 mm.

Tensión de drenaje a fuente de 100 V

Corriente de drenaje continua de 12 A

Alta disipación de potencia de 40 W

Encapsulado compacto de montaje en superficie HSMT8AG

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