MOSFET onsemi RFP70N06, VDSS 60 V, ID 70 A, TO-220AB de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 841-312
Nº ref. fabric.:: RFP70N06
Fabricante:: onsemi

MOSFET onsemi RFP70N06, VDSS 60 V, ID 70 A, TO-220AB de 3 pines, , config. Simple

162 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).

Precio Unidad

1,54 €

(exc. IVA)

1,86 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad
1 - 9	1,54 €
10 - 24	1,32 €
25 - 49	1,25 €
50 - 99	1,18 €
100 +	1,13 €

Código RS:: 841-312
Nº ref. fabric.:: RFP70N06
Fabricante:: onsemi

Documentación Técnica

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Legislación y Conformidad

Datos del Producto

MOSFET de canal N para modo de mejora, Fairchild Semiconductor

Los transistores de efecto de campo (FET) para modo de mejora se producen utilizando la exclusiva tecnología DMOS de alta densidad celular de Fairchild. Este proceso de alta densidad se ha diseñado para minimizar la resistencia en funcionamiento, proporcionar un rendimiento fiable y resistente y una conmutación rápida.

Transistores MOSFET, ON Semi

On Semi ofrece una cartera sustancial de dispositivos MOSFET que incluye>< tipos de alta tensión ( 250 V) y baja tensión ( 250 V). La avanzada tecnología de silicio proporciona tamaños de terraja más pequeños, que se integran en varios encapsulados estándar del sector y están térmicamente mejorados.
En los SemiMOSFETs proporciona una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión reducidos y sobredisparo, hasta menor capacitancia de unión y carga de recuperación inversa, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas en funcionamiento y en funcionamiento durante más tiempo.

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	70 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	60 V
Tipo de Encapsulado	TO-220AB
Tipo de Montaje	Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	14 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima	2V
Disipación de Potencia Máxima	150 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs	120 nC a 20 V
Ancho	4.83mm
Longitud	10.67mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+175 °C
Número de Elementos por Chip	1
Material del transistor	Si
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
Altura	9.4mm