MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 650 V, ID 40 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 214-8910
- Nº ref. fabric.:
- NTP082N65S3HF
- Fabricante:
- onsemi
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Unidad(es) | Por unidad | Por Tubo* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 3,951 € | 197,55 € |
| 100 - 100 | 3,801 € | 190,05 € |
| 150 + | 3,749 € | 187,45 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 214-8910
- Nº ref. fabric.:
- NTP082N65S3HF
- Fabricante:
- onsemi
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 40A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Serie | NTP | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 82mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 313W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30 V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 81nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 4.83mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Longitud | 10.53mm | |
| Anchura | 15.75 mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 40A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Serie NTP | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 82mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 313W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30 V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 81nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 4.83mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Longitud 10.53mm | ||
Anchura 15.75 mm | ||
Estándar de automoción No | ||
on Semiconductor MOSFET es una nueva familia de MOSFET de unión de alta tensión de−−que utiliza tecnología de equilibrio de carga para ofrecer una resistencia de conexión baja excepcional y un rendimiento de carga de puerta inferior. Esta Advanced Technology está diseñada para minimizar la pérdida de conducción, proporciona un rendimiento de conmutación superior y resiste una velocidad dv/dt extrema.
Sin plomo
En conformidad con RoHS
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