Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	onsemi
	Tipo de producto	MOSFET
	Tipo de canal	Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld	17A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	650V
	Encapsulado	TO-220
	Serie	SuperFET II
	Tipo de montaje	Orificio pasante
	Número de pines	3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	190mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Tensión directa Vf	1.2V
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	30 V
	Disipación de potencia máxima Pd	144W
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	33nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Anchura	4.7 mm
	Longitud	10.67mm
	Altura	16.3mm
	Certificaciones y estándares	No
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Marca onsemi
	Tipo de producto MOSFET
	Tipo de canal Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld 17A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V
	Encapsulado TO-220
	Serie SuperFET II
	Tipo de montaje Orificio pasante
	Número de pines 3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 190mΩ
	Modo de canal Mejora
	Tensión directa Vf 1.2V
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 30 V
	Disipación de potencia máxima Pd 144W
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 33nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Anchura 4.7 mm
	Longitud 10.67mm
	Altura 16.3mm
	Certificaciones y estándares No
	Estándar de automoción No

COO (País de Origen):: CN

SuperFET® III MOSFET es la nueva familia de MOSFET de súper empalme (SJ) de alta tensión de la marca ON Semiconductor que utiliza tecnología de equilibrio de carga para una resistencia de conexión muy baja y menor rendimiento de carga de puerta. Esta tecnología avanzada está personalizada para minimizar la pérdida de conducción, proporcionar un rendimiento de conmutación superior y resistir condiciones extremas de velocidad de dv/dt. Por consiguiente, SuperFET III MOSFET es muy adecuado para diversos sistemas de potencia para miniaturización y mayor eficiencia.

700 V a TJ = 150 oC

Mayor fiabilidad del sistema a baja temperatura de funcionamiento

Carga de compuerta ultrabaja (Típ. Qg = 30 nC)

Menor pérdida de conmutación

Baja capacitancia de salida eficaz (Típ. Coss(ef.) = 277 pF)

Menor pérdida de conmutación

Capacitancia optimizada

Vds de pico inferior y menor oscilación Vgs

Resistencia de compuerta interna: 7,0 ohmios

Vds de pico inferior y menor oscilación Vgs

Típ. RDS(on) = 170 mΩ

MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 650 V, ID 17 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

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