MOSFET onsemi FCP190N65S3, VDSS 650 V, ID 17 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple
- Código RS:
- 172-3425
- Nº ref. fabric.:
- FCP190N65S3
- Fabricante:
- onsemi
20 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).
Precio unitario (En un Tubo de 800)
1,387 €
(exc. IVA)
1,678 €
(inc.IVA)
Unidades | Por unidad | Por Tubo* |
|---|---|---|
| 800 + | 1,387 € | 1.109,60 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 172-3425
- Nº ref. fabric.:
- FCP190N65S3
- Fabricante:
- onsemi
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
- COO (País de Origen):
- CN
Datos del Producto
SuperFET® III MOSFET es la nueva familia de MOSFET de súper empalme (SJ) de alta tensión de la marca ON Semiconductor que utiliza tecnología de equilibrio de carga para una resistencia de conexión muy baja y menor rendimiento de carga de puerta. Esta tecnología avanzada está personalizada para minimizar la pérdida de conducción, proporcionar un rendimiento de conmutación superior y resistir condiciones extremas de velocidad de dv/dt. Por consiguiente, SuperFET III MOSFET es muy adecuado para diversos sistemas de potencia para miniaturización y mayor eficiencia.
700 V a TJ = 150 oC
Mayor fiabilidad del sistema a baja temperatura de funcionamiento
Carga de compuerta ultrabaja (Típ. Qg = 30 nC)
Menor pérdida de conmutación
Baja capacitancia de salida eficaz (Típ. Coss(ef.) = 277 pF)
Menor pérdida de conmutación
Capacitancia optimizada
Vds de pico inferior y menor oscilación Vgs
Resistencia de compuerta interna: 7,0 ohmios
Vds de pico inferior y menor oscilación Vgs
Típ. RDS(on) = 170 mΩ
Mayor fiabilidad del sistema a baja temperatura de funcionamiento
Carga de compuerta ultrabaja (Típ. Qg = 30 nC)
Menor pérdida de conmutación
Baja capacitancia de salida eficaz (Típ. Coss(ef.) = 277 pF)
Menor pérdida de conmutación
Capacitancia optimizada
Vds de pico inferior y menor oscilación Vgs
Resistencia de compuerta interna: 7,0 ohmios
Vds de pico inferior y menor oscilación Vgs
Típ. RDS(on) = 170 mΩ
Especificaciones
Atributo | Valor |
|---|---|
| Tipo de Canal | N |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 17 A |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 650 V |
| Tipo de Encapsulado | TO-220 |
| Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante |
| Conteo de Pines | 3 |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 190 mΩ |
| Modo de Canal | Mejora |
| Tensión de umbral de puerta máxima | 4.5V |
| Tensión de umbral de puerta mínima | 2.5V |
| Disipación de Potencia Máxima | 144 W |
| Configuración de transistor | Simple |
| Tensión Máxima Puerta-Fuente | ±30 V |
| Número de Elementos por Chip | 1 |
| Carga Típica de Puerta @ Vgs | 33 nC a 10 V |
| Ancho | 4.7mm |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C |
| Longitud | 10.67mm |
| Altura | 16.3mm |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C |
| Tensión de diodo directa | 1.2V |
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