MOSFET, Tipo N-Canal onsemi FCP190N65S3, VDSS 650 V, ID 17 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 172-4632
- Nº ref. fabric.:
- FCP190N65S3
- Fabricante:
- onsemi
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- Código RS:
- 172-4632
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- FCP190N65S3
- Fabricante:
- onsemi
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 17A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Serie | SuperFET II | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 190mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 33nC | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 144W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 4.7 mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 10.67mm | |
| Altura | 16.3mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 17A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Serie SuperFET II | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 190mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 33nC | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 144W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 4.7 mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 10.67mm | ||
Altura 16.3mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
SuperFET® III MOSFET es la nueva familia de MOSFET de súper empalme (SJ) de alta tensión de la marca ON Semiconductor que utiliza tecnología de equilibrio de carga para una resistencia de conexión muy baja y menor rendimiento de carga de puerta. Esta tecnología avanzada está personalizada para minimizar la pérdida de conducción, proporcionar un rendimiento de conmutación superior y resistir condiciones extremas de velocidad de dv/dt. Por consiguiente, SuperFET III MOSFET es muy adecuado para diversos sistemas de potencia para miniaturización y mayor eficiencia.
700 V a TJ = 150 oC
Mayor fiabilidad del sistema a baja temperatura de funcionamiento
Carga de compuerta ultrabaja (Típ. Qg = 30 nC)
Menor pérdida de conmutación
Baja capacitancia de salida eficaz (Típ. Coss(ef.) = 277 pF)
Menor pérdida de conmutación
Capacitancia optimizada
Vds de pico inferior y menor oscilación Vgs
Resistencia de compuerta interna: 7,0 ohmios
Vds de pico inferior y menor oscilación Vgs
Típ. RDS(on) = 170 mΩ
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