MOSFET onsemi FCP190N65S3, VDSS 650 V, ID 17 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 172-4632
Nº ref. fabric.:: FCP190N65S3
Fabricante:: onsemi

MOSFET onsemi FCP190N65S3, VDSS 650 V, ID 17 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple

20 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).

Precio unitario (Suministrado en múltiplos de 10)

2,691 €

(exc. IVA)

3,256 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Pack*
10 - 90	2,691 €	26,91 €
100 - 240	2,096 €	20,96 €
250 - 490	2,043 €	20,43 €
500 - 990	1,77 €	17,70 €
1000 +	1,499 €	14,99 €

*precio indicativo

Código RS:: 172-4632
Nº ref. fabric.:: FCP190N65S3
Fabricante:: onsemi

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

COO (País de Origen):: CN

Datos del Producto

SuperFET® III MOSFET es la nueva familia de MOSFET de súper empalme (SJ) de alta tensión de la marca ON Semiconductor que utiliza tecnología de equilibrio de carga para una resistencia de conexión muy baja y menor rendimiento de carga de puerta. Esta tecnología avanzada está personalizada para minimizar la pérdida de conducción, proporcionar un rendimiento de conmutación superior y resistir condiciones extremas de velocidad de dv/dt. Por consiguiente, SuperFET III MOSFET es muy adecuado para diversos sistemas de potencia para miniaturización y mayor eficiencia.

700 V a TJ = 150 oC
Mayor fiabilidad del sistema a baja temperatura de funcionamiento
Carga de compuerta ultrabaja (Típ. Qg = 30 nC)
Menor pérdida de conmutación
Baja capacitancia de salida eficaz (Típ. Coss(ef.) = 277 pF)
Menor pérdida de conmutación
Capacitancia optimizada
Vds de pico inferior y menor oscilación Vgs
Resistencia de compuerta interna: 7,0 ohmios
Vds de pico inferior y menor oscilación Vgs
Típ. RDS(on) = 170 mΩ

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	17 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	650 V
Tipo de Encapsulado	TO-220
Tipo de Montaje	Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	190 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	4.5V
Tensión de umbral de puerta mínima	2.5V
Disipación de Potencia Máxima	144 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	±30 V
Número de Elementos por Chip	1
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Ancho	4.7mm
Longitud	10.67mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs	33 nC a 10 V
Tensión de diodo directa	1.2V
Altura	16.3mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C

MOSFET onsemi FCP190N65S3, VDSS 650 V, ID 17 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple

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