MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 600 V, ID 20 A, Mejora, TO-247 de 3 pines
- Código RS:
- 103-1991
- Nº ref. fabric.:
- STW26NM60N
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal (1 tubo de 30 unidades)*
104,40 €
(exc. IVA)
126,30 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Agotado temporalmente
- 600 Envío desde el 11 de febrero de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Tubo* |
|---|---|---|
| 30 - 60 | 3,48 € | 104,40 € |
| 90 - 480 | 2,784 € | 83,52 € |
| 510 - 960 | 2,474 € | 74,22 € |
| 990 + | 2,095 € | 62,85 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 103-1991
- Nº ref. fabric.:
- STW26NM60N
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 20A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 600V | |
| Encapsulado | TO-247 | |
| Serie | MDmesh | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 165mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 60nC | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | ±25 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 140W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 20.15mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 5.15 mm | |
| Longitud | 15.75mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 20A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V | ||
Encapsulado TO-247 | ||
Serie MDmesh | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 165mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 60nC | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta ±25 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 140W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 20.15mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 5.15 mm | ||
Longitud 15.75mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MDmesh™ de canal N, 600 V/650 V, STMicroelectronics
Transistores MOSFET, STMicroelectronics
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 600 V Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET VDSS 600 V Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET VDSS 600 V Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET VDSS 600 V Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET VDSS 600 V Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET VDSS 600 V Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET VDSS 600 V Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET VDSS 600 V Mejora, TO-247 de 3 pines