MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 600 V, ID 28 A, Mejora, TO-247 de 3 pines
- Código RS:
- 168-5899
- Nº ref. fabric.:
- STW35N60DM2
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Disponibilidad de stock no accesible
- Código RS:
- 168-5899
- Nº ref. fabric.:
- STW35N60DM2
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 28A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 600V | |
| Encapsulado | TO-247 | |
| Serie | MDmesh DM2 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 110mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 54nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 210W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | -6.3V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 15.75mm | |
| Altura | 20.15mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 28A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V | ||
Encapsulado TO-247 | ||
Serie MDmesh DM2 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 110mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 54nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 210W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf -6.3V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 15.75mm | ||
Altura 20.15mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
MDmesh de canal N serie DM2, STMicroelectronics
Los MOSFET MDmesh DM2 ofrecen una baja RDS(on) y, gracias al tiempo de recuperación inversa de diodo mejorado para una mayor eficiencia, esta serie se ha optimizado para topologías de desfase de puente completo ZVS.
Alta capacidad dV/dt para mejorar la fiabilidad del sistema
Certificación AEC-Q101
Transistores MOSFET, STMicroelectronics
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