MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 600 V, ID 28 A, Mejora, TO-247 de 3 pines

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Código RS:
168-5899
Nº ref. fabric.:
STW35N60DM2
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

28A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

600V

Serie

MDmesh DM2

Encapsulado

TO-247

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

110mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

25 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

54nC

Tensión directa Vf

-6.3V

Disipación de potencia máxima Pd

210W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Longitud

15.75mm

Anchura

5.15 mm

Altura

20.15mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN

MDmesh de canal N serie DM2, STMicroelectronics


Los MOSFET MDmesh DM2 ofrecen una baja RDS(on) y, gracias al tiempo de recuperación inversa de diodo mejorado para una mayor eficiencia, esta serie se ha optimizado para topologías de desfase de puente completo ZVS.

Alta capacidad dV/dt para mejorar la fiabilidad del sistema

Certificación AEC-Q101

Transistores MOSFET, STMicroelectronics


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