MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STW35N60DM2, VDSS 600 V, ID 28 A, Mejora, TO-247 de 3 pines

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Código RS:
111-6482
Nº ref. fabric.:
STW35N60DM2
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

28A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

600V

Encapsulado

TO-247

Serie

MDmesh DM2

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

110mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

54nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

210W

Tensión directa Vf

-6.3V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

25 V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

15.75mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

5.15 mm

Altura

20.15mm

Estándar de automoción

No

MDmesh de canal N serie DM2, STMicroelectronics


Los MOSFET MDmesh DM2 ofrecen una baja RDS(on) y, gracias al tiempo de recuperación inversa de diodo mejorado para una mayor eficiencia, esta serie se ha optimizado para topologías de desfase de puente completo ZVS.

Alta capacidad dV/dt para mejorar la fiabilidad del sistema

Certificación AEC-Q101

Transistores MOSFET, STMicroelectronics


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