MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 600 V, ID 72 A, Mejora, TO-247 de 3 pines
- Código RS:
- 195-2680
- Nº ref. fabric.:
- STWA75N60M6
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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- Código RS:
- 195-2680
- Nº ref. fabric.:
- STWA75N60M6
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 72A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 600V | |
| Encapsulado | TO-247 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 36mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 106nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 446W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 21.1mm | |
| Longitud | 15.9mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 72A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V | ||
Encapsulado TO-247 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 36mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 106nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 446W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 21.1mm | ||
Longitud 15.9mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
La nueva tecnología MDmesh™ M6 incorpora los avances más recientes en la conocida y consolidada familia MDmesh de MOSFET SJ. STMicroelectronics se basa en la generación anterior de dispositivos MDmesh a través de su nueva tecnología M6, que combina una excelente mejora de RDS(on) por área con uno de los comportamientos de conmutación más eficaces disponibles, así como una experiencia fácil de usar para la máxima eficiencia de aplicaciones finales.
Pérdidas de conmutación reducidas
Menor RDS(on) por área frente a la generación anterior
Resistencia de entrada de puerta baja
Protección Zener
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