MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 600 V, ID 20 A, Mejora, TO-247 de 3 pines

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Código RS:
151-455
Nº ref. fabric.:
STW20NM60
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

20A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

600V

Serie

MDmesh

Encapsulado

TO-247

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.29Ω

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±30 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

50°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

39nC

Tensión directa Vf

1.6V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

34.95mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Altura

5.15mm

Anchura

15.75 mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN
El MOSFET de potencia de STMicroelectronics asocia el proceso de drenaje múltiple con la disposición horizontal Power MESH de la empresa. El producto resultante tiene una resistencia de encendido extraordinariamente baja, una dv/dt impresionantemente alta y excelentes características de avalancha. La adopción de la técnica de bandas patentada por la empresa produce un rendimiento dinámico global significativamente mejor que el de productos similares de la competencia.

100% avalancha probada

Baja capacitancia de entrada y carga de puerta

Baja resistencia de entrada de puerta

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