MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STW20NM60, VDSS 600 V, ID 20 A, Mejora, TO-247 de 3 pines

Ver todo MOSFET
Descuento aplicable por cantidad

Subtotal (1 tubo de 30 unidades)*

99,00 €

(exc. IVA)

119,70 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Información relativa a las existencias no accesible actualmente - Vuelva a comprobarlo más tarde

Unidad(es)
Por unidad
Por Tubo*
30 - 903,30 €99,00 €
120 +3,135 €94,05 €

*precio indicativo

Código RS:
151-453
Nº ref. fabric.:
STW20NM60
Fabricante:
STMicroelectronics
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

STMicroelectronics

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

20A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

600V

Encapsulado

TO-247

Serie

MDmesh

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.29Ω

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

50°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

39nC

Tensión directa Vf

1.6V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Longitud

34.95mm

Altura

5.15mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN
El MOSFET de potencia de STMicroelectronics asocia el proceso de drenaje múltiple con la disposición horizontal Power MESH de la empresa. El producto resultante tiene una resistencia de encendido extraordinariamente baja, una dv/dt impresionantemente alta y excelentes características de avalancha. La adopción de la técnica de bandas patentada por la empresa produce un rendimiento dinámico global significativamente mejor que el de productos similares de la competencia.

100% avalancha probada

Baja capacitancia de entrada y carga de puerta

Baja resistencia de entrada de puerta

Enlaces relacionados