MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STWA68N65DM6AG, VDSS 650 V, ID 72 A, Mejora, TO-247 de 3 pines
- Código RS:
- 225-0679
- Nº ref. fabric.:
- STWA68N65DM6AG
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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- Código RS:
- 225-0679
- Nº ref. fabric.:
- STWA68N65DM6AG
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 72A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Serie | MDmesh DM6 | |
| Encapsulado | TO-247 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 39mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 118nC | |
| Tensión directa Vf | 1.6V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 25 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 480W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 40.92mm | |
| Anchura | 15.8 mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 5.1mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 72A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Serie MDmesh DM6 | ||
Encapsulado TO-247 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 39mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 118nC | ||
Tensión directa Vf 1.6V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 25 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 480W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 40.92mm | ||
Anchura 15.8 mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 5.1mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El MOSFET de potencia de canal N de alta tensión STMicroelectronics forma parte de la serie de diodos de recuperación rápida MDmesh DM6. En comparación con la generación rápida MDmesh anterior, DM6 combina una carga de recuperación (Qrr) muy baja, tiempo de recuperación (trr) y una excelente mejora en RDS(on) por área con uno de los comportamientos de conmutación más efectivos disponibles en el mercado para las topologías de puente de alta eficiencia más exigentes y los convertidores de cambio de fase ZVS.
Diodo de cuerpo de recuperación rápida
Menor RDS(on) por área con respecto a la generación anterior
Carga de puerta baja, capacitancia de entrada y resistencia
100 % a prueba de avalancha
Resistencia dv/dt extremadamente alta
Protección Zener
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