MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 650 V, ID 54 A, Mejora, TO-247 de 3 pines

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Código RS:
151-783
Nº ref. fabric.:
STWA65N045M9
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

54A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Serie

MDmesh M9

Encapsulado

TO-247

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

45mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

312W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

8nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±30 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1.5V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Anchura

15.90 mm

Longitud

20.10mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN
El MOSFET de potencia de canal N de STMicroelectronics se basa en la tecnología MDmesh M9 de superunión más innovadora, adecuada para MOSFET de media/alta tensión con un RDS(on) por área muy bajo. La tecnología M9 basada en silicio se beneficia de un proceso de fabricación de drenaje múltiple que permite una estructura de dispositivo mejorada. El producto resultante tiene una de las resistencias de conexión y valores de carga de puerta más bajos de todos los MOSFET de potencia de superunión de conmutación rápida basados en silicio, lo que lo hace especialmente adecuado para aplicaciones que requieren una densidad de potencia superior y una eficiencia sobresaliente

Mayor capacidad VDSS

Mayor capacidad dv/dt

Excelente rendimiento de conmutación

Fácil de manejar

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