MOSFET STMicroelectronics STW65N045M9-4, VDSS 650 V, ID 54 A, TO247-4 de 3 pines

El MOSFET de potencia de STMicroelectronics se basa en la tecnología MDmesh M9 de superunión más innovadora. La tecnología M9 basada en silicio se beneficia de un proceso de fabricación multidrenaje que permite mejorar la estructura del dispositivo. El producto resultante tiene una de las resistencias de encendido y valores de carga de puerta más bajos de todos los MOSFET de potencia de superunión de conmutación rápida basados en silicio, lo que lo hace especialmente adecuado para aplicaciones que requieren una densidad de potencia superior y una eficiencia sobresaliente.

Mayor capacidad dv/dt
Excelente rendimiento de conmutación
Fácil de manejar
100 por cien a prueba de avalanchas